5月27日下午，SK海力士股价盘中飙升超11%，总市值突破1万亿美元。而就在不到10个小时前，在瑞银“史诗级”上调目标价的刺激下，单日暴涨19%，市值首次站上万亿美元大关。至此，三星——全球最大的三家存储企业，在短短数周内相继完成了市值突破万亿美元的历史性壮举。
而中国长期资金市场的聚光灯则聚焦于刚刚过会的长鑫科技。记者发现，这家成立于2016年的企业，从零开始，在短短数年内完成了中国DRAM产业从“空白”到“全球第四”的跨越，而从5月17日更新招股书恢复受理到完成过会，长鑫科技仅用时十天。目前其正携带着一季度日赚超2.75亿元的惊人成绩单，叩开科创板的大门，与远在韩国、美国的巨头们展开一场关于技术、产能与未来的终极博弈。
三年前还在为DRAM芯片价格何时触底反弹而“叫苦连连”的存储行业，如今已彻底翻身。现在，大家关心的问题是，这轮史无前例的存储“超级周期”究竟能走多远？当海外三巨头齐聚万亿俱乐部，国产存储企业又能否抓住窗口期实现弯道超车，站上万亿元的市值巅峰？
三星率先撞线日，三星市值突破1万亿美元，成为继台积电之后第二家市值超万亿美元的亚洲科技公司。至此，三星股价较一年前增长近5倍。支撑这一涨幅的，是业绩爆发：三星今年第一季度芯片业务收入达74.8万亿韩元，同比增长292%；盈利为53.7万亿韩元，同比增长4782%。更关键的是，三星近期利用单元多层键合技术，成功构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，进一步拉大与追赶者的技术差距。
SK海力士则以另一种姿态登顶。作为全世界第二大厂商，SK海力士今年股价已累计上涨超2倍，今年一季度公司净利润同比飙升约400%，创下40万亿韩元的历史上最新的记录，大幅超出市场预期。其成功押注HBM高带宽内存，成为英伟达AI GPU供应链中不可或缺的一环，稳居HBM市场龙头地位。
的突围则最具戏剧性。仅用了48个交易日，美光科技就完成了市值从5000亿美元到1万亿美元的翻倍，刷新了此前由三星电子创下的82天纪录。瑞银将美光目标价从535美元/股大幅上调至1625美元/股，对应市值高达1.8万亿美元。
业内人士指出，短短数周内，三大巨头相继完成市值破万亿美元的壮举。这不仅仅是股价的狂欢，更是市场对行业逻辑“底层重构”的集体投票。
“这一轮三巨头同步冲关万亿美元，核心驱动力来自AI服务器‘虹吸式’的强大需求。”群智咨询总经理李亚琴指出，HBM需求的持续旺盛，使AI算力中心建设成为存储涨价的核心引擎。
多位接受媒体采访的机构和有经验的人指出，本轮存储行情的本质变化在于行业的定价逻辑正在经历根本性重塑。摩根士丹利分析认为，存储板块的交易逻辑正从“涨价或跌价预期的景气度博弈”，转向基于盈利确定性的重新定价。存储原厂正通过签订3至5年超长期协议锁定利润，当前长约已覆盖行业20%至30%的DDR以及60%至70%的服务器DDR5出货量。
法国里昂商学院管理实践教授李徽徽则认为，三大存储巨头估值增加，并非市场彻底抛弃周期逻辑，而是长期资金市场对“高端成长+传统周期”分层格局的重新定价。“行业正从‘普涨普跌的强周期’，转向‘结构性分化、弱波动、长上行’的全新形态。”其指出，AI算力中心建设尚处初期阶段，存储供不应求将是长期现象，这才是本轮行情能够持续的核心底气。
就在海外三巨头接连突破万亿美元市值的同时，中国存储芯片产业也迎来了历史性时刻。
5月27日，国产DRAM有突出贡献的公司长鑫科技的科创板IPO申请正式获上市委会议通过，拟募集资金295亿元，创下科创板开板以来第二大IPO规模，仅次于中芯国际2020年的532亿元。同时，另一大存储巨头长江存储也真正开始启动了科创板IPO辅导备案。一时间，国内存储“双雄”联手冲刺资本市场。
公开资料显示，长鑫科技已完成从第一代到第四代工艺平台的全线量产，产品全方面覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流代际，在合肥和北京拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，产能位居全球第四。
而真正让市场震动的，是长鑫科技2026年一季度的业绩。招股书显示，今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，而2024年全年公司归母纯利润是亏损71.45亿元。公司预计上半年实现归母净利润500亿元至570亿元。
从全球竞争格局来看，长鑫科技虽然已是全球第四大DRAM厂商，但与前三名的差距依然显著。CFM闪存市场多个方面数据显示，今年一季度三星电子DRAM出售的收益达382.14亿美元，市场占有率为40.5%，全球排名第一；SK海力士占比29.6%排名第二，美光占比19.9%排名第三，而长鑫科技的全球市场占有率为7.7%。
这意味着，即便排名从第四到第三仅差一个位次，但长鑫科技与美光之间的市场占有率却存在超过12个百分点的鸿沟。
技术代差同样是绕不开的课题。尤其在AI时代最核心的HBM领域，长鑫科技目前仅交付HBM3样品，计划2027年实现12层HBM3E的量产，而三星和SK海力士早已实现HBM3E规模化出货并正迈向HBM4。按此节奏，长鑫科技与三巨头的技术差距有望在HBM3E量产后缩短至2至3年。
“存储芯片行业的投资本质上是一场长跑。”中金公司首席国内策略分析师李求索认为，企业往往需要经历长期研发、持续资本开支及多轮行业周期波动。相较于短期资金，耐心资本能更好抵御周期波动，支持我国公司实现技术迭代与产能扩张。
从股东结构看，长鑫科技恰恰体现了“耐心资本”的集结。招股书显示，国家集成电路产业投资基金二期持股8.73%，安徽地方国资相关主体合计持股超过35%，阿里云计算持股3.85%，五大国有银行的金融实物资产投资公司悉数在列，数家险资机构也已布局。多元长线资金的集结，为长鑫科技的持续扩张提供了充足的弹药。
但长鑫科技同样面临不确定性的考验。有机构分析指出，长鑫科技在DRAM性能上较国际巨头落后约1.5至2代，且受限于没有办法获得最先进的EUV光刻机，高端产品受限。以当前海外三巨头的动态市盈率为参考——美光科技约43.57倍、三星约26.64倍、SK海力士约21.27倍，结合长鑫科技更快的业绩增速和A股稀缺性溢价，多家机构给出的合理估值区间在2万亿至3万亿元人民币之间。
但投资者也必须警惕周期风险。本轮超级周期虽然由AI需求驱动，供需缺口预计延续至2028年，但当存储巨头纷纷加码扩产、市场供需紧张状况逐渐缓解时，“万物皆周期”的规律终究会起作用。
对于正在冲刺长期资金市场的长鑫科技和长江存储而言，最好的时代似乎刚刚开启。在AI浪潮重塑存储行业竞争格局的历史窗口中，国产存储能否抓住这一战略机遇期，在全球产业版图中占据无法替代的一席之地，这场大戏才刚刚拉开序幕。
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